序言ICNS是半导体领域的有影响力的国际会议。该会议累积了世界各地的主要科学家，工程师和行业，以交换硝酸盐半导体的插条和趋势。会议涵盖了材料的增长，设备物理和应用扩展，并促进了半导体照明，通信，能量和其他领域的技术发展。自从其基础以来，它目睹了从基础研究到大规模商业应用的氮化物半导体的过程，提供了学术和行业平台的重要合作和交流，促进了科学研究结果的转变，并加速了半导体行业的发展。这是该领域中必需的更需要的事件。 ICNS的第15届会议收集了来自斯坦福大学的氮化盐领域的领先大学，研究和商业机构的专家和学者，北京大学RSITY，东京大学，法国科学院，Infineon和其他世界。作为少数具有创新和国际影响力在氮化岩电源设备领域的公司之一，吉宁受邀参加了ICNS国际会议，并分享了基于技术的基于技术的基于技术技术的同行，基于团队硅的氮化甲氮化甲氮化甲氮化甲氮化甲氮化甲氮化甲化物的成功和前景。齐昂（Zhineng）在ICNS会议上发布了一份基于氮化壳nionrium nitrium镀氮基的设备开发报告。吉宁说，氮化硅装置中的建筑幼稚具有明显的好处，可以在热量耗散的电导率和性能中破坏横向结构的极限。它具有良好的性能和良好的潜在系统集成。它是建立氮化炮供电设备朝着更大强度建立的主要技术途径之一。在此阶段，资源，门和横向氮化岩结构的运河位于芯片表面，水平流动的流动水平，具有低成本和简单过程的优势，但诸如高强度，低压电阻和较长的散热路径等缺失。氮化炮的垂直结构的来源位于顶部，运河位于底部，电流的流量很长。它具有较低的抗性，强电压耐药性，耗散量的MRAISE效率以及更好的性能。它更适合高压和高功率方案。扩展全文 广东锡宁团队率先在硅底物上开创了垂直GAN/Algan异质结构和垂直二维电子气通道（2DEG）的第一种直接外延方法，并制备了低脱位结构，具有低脱位密度，具有高独立性设计。基于此，世界上第一个普通开放设备具有垂直二维Al电子气通道和具有可调阈值电压的普通设备。在结合过程中，通过特定过程实现电极结构的完全垂直布局，从而提高了散热的效率，并且具有高可行性的质量生产，该空间可用于设备微型化和高电流性能。 （左图：X-SEM结构；右图：剥落的硅底物） 左侧的图片显示，广东吉宁成功开发了第一个垂直二维电子气镀金氮化物电动机架构（尚未去除生长的硅基板）。右侧的图片显示了卸下硅基板后的垂直氮化壳装置晶圆。观测表面是硅底物的原始表面。以这种创新的建筑和技术为主要的技术，广东吉宁已广泛部署了家庭智力的基本权利UAL和国外，建立一个完整的专利系统，并形成坚实的技术障碍。基于外交材料，IST设计函数和过程的整合的持续变化，将垂直的硝酸盐动力装置扁平化，即台湾将成为下一代高性能氮化碳设备的主要技术途径。 头网的收费摘要 在这次ICNS会议上，广东吉宁（Guangdong Zhineng）展示了基于硅的基于氮化壳的设备的突破性结果。该小组带领垂直GAN/Algan异质结构的外延生长方式和垂直的二维电子气通道使用硅底物，并开发了第一个垂直二维电子硝酸酯设备，以解决瓶颈传统效率的性能的性能，并实现质量制造。该公司已经提出了许多基本的知识主义所有权，以产生完整的专利组合。这对于下一代高压和高功率氮化壳的创新将是一项重大技术成功，这有望促进电力半导体行业的升级。 广东吉宁半导体公司有限公司成立于2018年12月。该公司位于深圳总部，并在Xuzhou，Xuzhou，Genzhen，Guangzhou，Shanghai，上海和其他地方设有R＆D基地和市场和销售中心。该公司专注于第三代半导体耐氮化岩电源设备的研发和工业化。该公司是由具有超过20年的研究和半导体经验的海外专家建立的。它已经在半导体设备设计以及家庭和海外制造业领域的领域收集了研发才能和工业化，并获得了OFG R＆D团队的冠军。它在Changguan类型和垂直通道封闭式电源设备场中具有许多独特的技术发明。 BACK到Sohu看到更多